S MD LED SIZES 5730 White
5730 Упаковка светодиодов в качестве основного устройства светодиодной уличной лампы, производительность светодиодного чипа должна быть улучшена благодаря процессу светодиодной упаковки для достижения влияния эффективности света, срока службы, стабильности, оптического дизайна и рассеивания тепла. Из -за различной структуры светодиодных чипов соответствующий процесс упаковки также имеет большую разницу. Как ключевой компонент в светодиодных уличных лампах, упаковка 5730 светодиодов играет важную роль в улучшении производительности светодиодных чипов. На эффективность, срок службы, стабильность, оптическая конструкция и характеристики рассеяния тепла все влияют на процессы светодиодной упаковки. Важно отметить, что различные структуры светодиодных чипов требуют разных процессов упаковки.
В положительных и вертикальных структурах светодиодных чипов нитрид галлия (GAN) взаимодействует с фосфором и силикагелем. Напротив, структура флип-чипа видит сапфир в контакте с фосфором и силикагелем. GAN имеет показатель преломления около 2,4, сапфир составляет 1,8, фосфор при 1,7, а силикагель обычно варьируется от 1,4-1,5. Отражая эти индексы, критические углы общего отражения сапфира/(силикагель + фосфор) больше (51,1-70,8 °) по сравнению с GAN/(силикагель + фосфор) (36,7-45,1 °).
В результате свет, испускаемый с сапфировой поверхности в упаковочной структуре, встречается с большим критическим углом при прохождении через границу силикагеля и фосфора, что существенно снижает полную потерю отражения света.
Кроме того, различия в конструкции структуры светодиодных чипов приводят к отклонениям в плотности тока и напряжении, что значительно влияет на эффективность светодиодного чипа. В качестве иллюстрации обычные, положительно загруженные чипы обычно имеют напряжение, превышающее 3,5 В. Между тем, конструкция электрода флип-чипа обеспечивает более равномерное распределение тока, тем самым уменьшая напряжение светодиодного чипа до 2,8 В-3,0 В. Как следствие, легкая эффективность флип-чипов превосходит эффективность положительных чипов примерно на 16-25%.
Положительные и вертикальные структуры светодиодного чипа находятся в контакте с фосфором и силикагелем, в то время как структура флип-чипа является сапфиром в контакте с фосфором и силикагелем. Индекс преломления GAN составляет около 2,4, показатель преломления сапфира составляет 1,8, показатель преломления фосфора составляет 1,7, а показатель преломления силикагеля обычно составляет 1,4-1,5. Общее отражение Критические углы сапфира/(силикагель + фосфор) и ган/(силикагель + фосфор) составляют 51,1-70,8 °, а 36,7-45,1 ° соответственно, а свет испускается с поверхности сапфира в структуре упаковки проходит через грабитель силикагеля и фосфора. Критический угол общего отражения слоя больше, а полная потеря света значительно уменьшается. В то же время конструкция структуры светодиодных чипов отличается, что приводит к различной плотности тока и напряжению, что оказывает значительное влияние на эффективность светодиодных чипов. Например, обычный чип с положительным нагрузкой обычно имеет напряжение более 3,5 В, а структура флип-чипа имеет более равномерное распределение тока из-за конструкции структуры электрода, так что напряжение светодиодного чипа значительно Следовательно, снижение до 2,8 В-3,0 В, в случае, световой эффект флип-чипа примерно на 16-25% выше, чем у положительного чипа.
Спецификация S MD LED SIZES 5730 White
Группа Продуктов : Топология светодиод > 5730 SMD LED
Моя корзина (0) 
Сканирование посетить
